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有学微电子的不,“金属-半导体功函数差“的物理意义是什么,需要简单明...
功函数在固体物理中被定义为:把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。
与金属不同,半导体的功函和掺杂浓度有关。可以简单的理解为物体拥有或者抓获电子的能力。 金属的功函数W与它的费米能级密切相关但两者并不相等。
任何两种相接触的固体的费米能级(Fermi level)(或者严格意义上,化学势)必须相等。 费米能级和真空能级的差值称作功函数。 接触金属和半导体具有不同的功函,分别记为φM和φS。
在常规的制法中,加热温度要高于化合物的熔点,达到900~950℃,才能制得高纯SnSe。为半导体材料。
霍尔效应是电磁效应的一种,这一现象是美国物理学家霍尔于1879年在研究金属的导电机制时发现的。
热力学俺不咋地,统计物理简单唠叨一下。 统计物理就是建立一个从宏观参量到微观粒子数的映射。具体地说就是把宏观的温度 映射成 微观粒子态数。然后用态函数 直接求熵,焓,自由能。
金属的逸出功与什么有关?增大光照频率,逸出功改变吗
逸出功是使电子脱离金属所做功的最小值 电子脱离金属所需要克服金属内部引力做功,对于某种金属来说,使电子脱离金属所做功的最小值是确定的,不会因为照射光的频率发生变化而变化。
金属原子与其外围电子间的距离和它们间的作用力,这两个因素决定了逸出功。而这又与金属元素的电离能有关的。金属元素的逸出功取决于元素本身,与外部光线的频率、强弱无关。
而这又与金属元素的电离能有关的。注意,金属元素的逸出功取决于元素本身,与外部光线的频率,强弱无关。
金属材料的逸出功不但与材料的性质有关,还与金属表面的状态有关,在金属表面涂覆不同的材料可以改变金属逸出功的大小。
与入射光频率无关,不同金属的逸出功不同。如果入射光频率大于金属的截止频率,就会有电子逸出,逸出的电子初动能E等于入射光子的能量hν减去金属的逸出功w:E=hv-w 式中h是普朗克常数,v是入射光频率。
功函数是什么?
1、功函数又称功函、逸出功,在固体物理中被定义成:把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。
2、功函数(workfunction)在固体物理中被定义成:把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。
3、功函数(work function)在固体物理中被定义成:把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。
4、功函数在固体物理中被定义为:把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。
5、功函数是指电子从金属表面逸出所需的最小能量。换句话说,它代表了金属对电子的束缚强度。费米能级则代表了半导体或金属中电子的平均能量。在绝对零度以上,费米能级是所有电子占据能级的最高能级。